Міжнародна група наукових дослідників, до складу якої увійшов асистент кафедри Електроніки і комп’ютерної техніки Доброжан Олександр Анатолійович опублікувала наукову статтю “Ligand-Mediated Band Engineering of Bottom-Up Assembled SnTe” у престижному журналі світового рівня Journal of the American Chemical Society (імпакт-фактор журналу – 14.357).
Робота присвячена дослідженню в області наноінженерії термоелектричних матеріалів. У праці були досліджені термоелектричні властивості нанокомпозитів SnTe отриманих консолідацією нанокристалів SnTe з програмованою поверхнею в макроскопічний матеріал. Для контролю електронної структури напівпровідника та додаткових нановключень, використовувалися активні речовини на основі CdSe. Нанокомпозити SnTe-CdSe володіють високим термоелектричним параметром ефективності, добротністю, 1.3 при 850 К, що на даний момент є рекордним значенням серед матеріалів на основі SnTe, отриманих у рідкій фазі.