» Д’яченко Олексій Вікторович

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

НАПРЯМ НАУКОВИХ ДОСЛІДЖЕНЬ:

Синтез та дослідження наноструктурованих тонких шарів нових напівпровідникових матеріалів одержаних хімічними методами та моделювання багатошарових структур на їх основі для створення сучасних приладів мікроелектроніки.

ІНДЕКС ГІРША (за даними БД SCOPUS): 6

ID 57008166500,

ORCID: 0000-0003-2312-5255

ОСВІТА:

2013-2017 р.: аспірантура Сумського державного університету, кафедра електроніки і комп’ютерної техніки.

2008-2013 р.: факультет електроніки та інформаційних технологій, Сумський державний університет. Спеціальність «Електронні системи» та
здобув кваліфікацію інженера-електроніка (професіонал в галузі електроніки та телекомунікацій). Університет закінчив з відзнакою.

ВЧЕНІ СТУПЕНІ ТА ЗВАННЯ:

2019 р.: кандидат фiзико – математичних наук, спеціальність 01.04.01- «Фізика приладів, елементів і систем». (Сумський державний університет) Тема дисертації «Оптимізація структурних, електричних та оптичних характеристик шарів тонкоплівкових сонячних елементів на основі оксидів Mg, Zn, Cu, отриманих спрей-піролізом». наук. кер. А.С. Опанасюк

ДОСВІД РОБОТИ:

2020-до цього часу: старший викладач кафедри електроніки і комп’ютерної техніки Сумського державного університету;

2019-2020 р.: асистент кафедри електроніки і комп’ютерної техніки Сумського державного університету;

2018-2019 р.: науковий співробітник науково-дослідної частини кафедри електроніки і комп’ютерної техніки Сумського державного університету;

2017-2018 р.: інженер першої категорії кафедри електроніки і комп’ютерної техніки Сумського державного університету.

ДОСВІД ВИКЛАДАННЯ:

Викладає для студентів спеціальностей 171 «Електроніка» та 172 «Телекомунікації та радіотехніка» Сумського державного університету.

УЧАСТЬ У НАУКОВИХ ПРОЕКТАХ:

Був виконавцем, відповідальним виконавцем наступних науково- дослідних робіт:

1.	«Отримання та оптимізація властивостей наноструктур і плівок сполук А2В6 та їх твердих розчинів для пристроїв оптоелектроніки, спінтроніки та геліоенергетики», науково-дослідна робота, яка фінансувалась за рахунок загального фонду державного бюджету Міністерства освіти і науки України, No 0113U000131, термін виконання 2013-2015 рр, (виконавець).
2.	Комплексної держбюджетної НДР «Розробка наукових основ одержання детекторів іонізуючого випромінювання та сонячних елементів на основі CdTe,легованого ізовалентними домішками 3d-металів (Mn, Zn)», No 0115U003242, термін виконання 2015-2017 рр; у рамках підтеми «Структурні, оптичні та електричні характеристики тонких і товстих плівок твердих розчинів CdTe з ізовалентними домішками (Mn, Zn) для високоефективних детекторів іонізуючого випромінювання та сонячних елементів», No 0115U000665c, термін виконання 2015-2017 рр, (відповідальний виконавець).
3.	«Синтез, дослідження та оптимізація властивостей плівок халькогенідів кадмію та цинку легованих рідкісноземельними та ізовалентними домішками», науково-дослідна робота, яка фінансувалась за рахунок загального фонду державного бюджету Міністерства освіти і науки України, No 0116U002619, термін виконання 2016-2018 рр., (виконавець).
4.	«Синтез та оптимізація властивостей сонячних елементів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(S,Se)4, отриманих методом друку з використанням наночорнил», науково-дослідна робота, яка фінансувалась за рахунок загального фонду державного бюджету Міністерства освіти і науки України, No0119U100398, термін виконання 2019-2021 рр., (виконавець).
5.	Спільний україно-литовський проект «Оптимізація структури і фазового складу сполук SnxSny та Zn1-xMgxO для плівкових сонячних елементів третього покоління», Договір No М/80-2018 та М/36-2019, термін виконання 2018-2019 рр., (виконавець).
6.	«Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління», No0117U003929, термін виконання 2017- 2020 рр., (відповідальний виконавець).
7.	«Полікристалічні плівки CdZnTeSe та CdMnTeSe для створення активної зони детекторів рентгенівського та гамма випромінювання нового покоління»,No 0121U109556, термін виконання 2021-2022 рр. (відповідальний виконавець).
8.	Грант Національного фонду досліджень України, конкурс «Підтримка досліджень провідних та молодих учених», назва проєкту «Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей» Реєстраційний номер 2020.02/0313, термін виконання 2020-2022 рр., (виконавець).
9.	Проєкт НАТО «3D-друковані функціональні елементи для гнучких електронних пристроїв» за договором No SPS G5916 у рамках програми «Наука заради миру та безпеки», термін виконання 2022-2024 рр., (виконавець).

Індивідуальний грант для стажування в університеті Соганг (м. Сеул, Південна Корея, 2015 р.).

Науково-дослідне стажування в Словацькому технічному університеті в Братиславі (м. Братислава, Словаччина, 2020 р.).

КЕРІВНИЦТВО ДИСЕРТАЦІЙНИМИ РОБОТАМИ:

Науковий керівник аспірантів, магістрів і бакалаврів.

ІНША ДІЯЛЬНІСТЬ:

Член експертної ради МОН з експертизи проектів наукових робіт, науково- технічних (експериментальних) розробок молодих учених, які працюють (навчаються) у ЗВО та НУ, що належать до сфери управління МОН, секція “Безпечна, чиста та ефективна енергетика”.

Інструктор академії Cisco Сумського державного університету.

Член робочої проєктної групи освітньої програми 172 «Телекомунікації та радіотехніка».

ОСНОВНІ НАУКОВІ ПУБЛІКАЦІЇ

1.	Diachenko O. Optical losses in glass/ITO(ZnO)/CdS/Cu2ZnSn(SxSe1−x)4 solar cells with different kesterite composition / S. Kakherskyi, О. Diachenko, N. Opanasyuk, А. Opanasyuk. // Transactions on Electrical and Electronic Materials. – 2022. – Vol. 23. – P. 552–562. https://doi.org/10.1007/s42341-022-00387-8 https://link.springer.com/article/10.1007/s42341-022-00387-8
2.	Diachenko O. Structural and optical properties of cuo thin films synthesized using spray pyrolysis method / О. Diachenko, J. Kováč Jr, O. Dobrozhan, P. Novák, J. Kováč, J. Skriniarova, А. Opanasyuk. // Coatings. – 2021. – Vol. 11. – P. 1392. https://doi.org/10.3390/coatings11111392 https://www.mdpi.com/2079-6412/11/11/1392
3.	Diachenko O. Structural properties and chemical composition of zno films deposited onto flexible substrates by spraying polyol mediated nanoinks / O. Dobrozhan, S. Vorobiov, D. Kurbatov, М. Balaz, М. Kolesnyk, О. Diachenko, V. Komanicky, А. Opanasyuk. // Superlattices and Microstructures. – 2020. – Vol. 140. – P. 106455. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2020.106455 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0749603619318713
4.	Diachenko O. Morphological, structural and optical properties of Mg-doped ZnO nanocrystals synthesized using polyol process / O. Dobrozhan, O. Diachenko, M. Kolesnyk, A. Stepanenko, S. Vorobiov, P. Baláž, A. Opanasyuk // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2019. – Vol. 102. – P. 104595. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104595 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1369800119306481
5.	Diachenko O. V. Efficiency modeling of solar cells based on the n-Zn1-xMgxO/p-SnS heterojunction / O. V. Diachenko, O. A. Dobrozhan, A. S. Opanasyuk, D. I. Kurbatov, V. V. Grynenko, S. V. Plotnikov //Journal of nano-and electronic physics. – 2019. – No. 11, no. 3. – P. 03024-1-03024-7. https://doi.org/10.21272/jnep.11(3).03024 https://jnep.sumdu.edu.ua/en/full_article/2771
6.	The influence of optical and recombination losses on the efficiency of thin-film solar cells with a copper oxide absorber layer / O.V. Diachenko, O.A. Dobrozhan, A.S. Opanasyuk, M.M. Ivashchenko, T.O. Protasova, D.I. Kurbatov, A. Čerškusc // Superlattices and Microstructures. – 2018. – V.122. – P. 476-485. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.06.063. https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603618312692

ПАТЕНТИ:

1.	Пат. 141172 U Україна, МПК B05D 5/12 (2006.01). Спосіб підвищення якості тонких шарів в полікристалічних плівках Cu2ZnSnS4, отриманих безвакуумним методом спрей-піролізу / А.В. Шамардін, Д.І. Курбатов, О.В. Д’яченко (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. – No u201909186; заявл. 08.08.2019; опубл. 25.03.2020, бюл. No 6.
2.	Пат. 114980 U Україна, МПК B05B 5/00 (2006.01). Автоматизований пристрій для нанесення плівок напівпровідників та їх твердих розчинів безвакуумним методом / Д’яченко О. В., Опанасюк А.С., Курбатов Д.І. (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. – No u201610797; заявл. 27.10.2016; опубл. 27.03.2017, бюл. No 6.
3.	Пат. 113142 U Україна, МПК B05D 5/12 (2006.01). Спосіб отримання шарів MgO методом спрей-піролізу / О.В. Д’яченко, А.С. Опанасюк, Д.І. Курбатов (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. – No u2016 08112; заявл. 22.07.2016; опубл. 10.01.2017, бюл. No1.

НАУКОВІ МОНОГРАФІЇ:

1. Chapter: CdTe/CdZnTe-based radiation detectors / A.S. Opanasyuk, D.I. Kurbatov, Ya. V. Znamenshchykov, O. V. Diachenko, M. M. Ivashchenko

ПРОФІЛІ У ПРОФЕСІЙНИХ МЕРЕЖАХ ТА БАЗАХ ДАНИХ:

Scopus:	https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=57008166500
ResearchGate:	https://www.researchgate.net/profile/Oleksii-Diachenko/stats
Google Scholar:	https://scholar.google.com/citations?user=k–xOmIAAAAJ

CЕРТИФІКАТИ:

COURSES, SELF-EDUCATION
2022	Certificate of Course Completion DevOps Winter 2022 EPAM Ukraine
2022	Certificate of Course Completion Partner: NDG Linux Essentials Cisco Networking Academy
2021	Certificate of Course Completion CCNP Enterprise: Core Networking Cisco Networking Academy
2021	Certificate of attainment in modern Language English, Level B2 ECL Exam Centre “Universal Test”
2019	Certificate of Course Completion CCNA Cybersecurity Operations Cisco Networking Academy
2019	Certificate of Course Completion CCNA Routing and Switching Cisco Networking Academy

Dr. Oleksii Diachenko Ph.D., Assistant Professor at the Department of Electronics and Computer Technology, Sumy State University, Ukraine.

His current research interest is synthesis and characterization of nanostructured thin layers of new semiconductor materials obtained by chemical methods and modeling of multilayer structures based on them to create modern microelectronics devices.